台积电引入新型内存SOT-MRAM：功耗仅为同类技术的1%

英伟达发布定制HBM技术NVHBM，通过集成内存控制器至HBM基础裸片，实现带宽较HBM4E提升30%、功耗降低15%，并释放主芯片25%空间。亚马逊Annapurna Labs为首个合作伙伴，该技术旨在通过标准化方案加速定制AI芯片开发，而非取代通用HBM。

Arm在Hot Chips 2026发布首款AI专用数据中心CPU“Arm AGI CPU”，由Meta联合开发。该芯片采用台积电3nm工艺，双芯粒设计，每芯粒70个Neoverse V3核心（屏蔽4个后单芯片136核），TDP 300W，支持DDR5-8800及PCIe 6.0。旨在解决x86在AI算力与能效上的瓶颈，预计2027-2028财年推向市场。

Marvell总裁透露，计划在下一代AI数据中心芯片中采用台积电A14制程。该制程性能提升15%或功耗降低30%，逻辑密度增加20%以上，预计2028年量产。公司已率先使用3nm、2nm制程，并预付10亿美元锁定先进制程产能。

麦格理将台积电台股目标价从2550新台币上调33%至3380新台币，维持“跑赢大市”评级。需求火热与芯片效能提升形成良性循环，推动持续涨价。台积电正淘汰成熟制程，优先先进制程，释放产能并提高综合平均售价。

AMD因用户强烈反弹，将为消费级Ryzen处理器恢复TSME内存加密功能。此前该功能被AGESA微码悄然关闭，仅保留在PRO等高端产品线，而英特尔竞品仍开放类似功能。AMD将通过UEFI固件更新，自2026年7月起由主板厂商发布BIOS恢复该选项。

台积电正加速新一代CoPoS封装技术开发，以矩形基板替代传统晶圆，提升面积利用率至90%以上，从而封装更大尺寸芯片并降低单位成本20%-30%。该技术计划2027年试产，2028年量产，玻璃基板预计2030年前后应用。此举旨在满足AI与高性能计算需求，巩固其在先进封装领域的领先地位。

消费级DRAM供给紧缩，三大原厂优先HBM与服务器内存，DDR4投片缩减。需求转向DDR2/DDR3，DDR2合约价二季度涨55%-60%，三季度再涨35%-40%。品牌厂与ODM厂降级使用，缺货压力向下传导。

杰富瑞研报预测，2026年Q3全球存储芯片价格环比涨40%-50%，Q4涨30%-40%，2027全年均价同比涨约40%-45%，降价或始于2028年，届时跌幅15%-20%。

二手交易平台出现大量低价假DDR5内存，号称SK海力士16GB仅售179元。拆解发现颗粒内部为空壳，无硅芯片，仅靠胶水与焊锡伪装。上机无法通过自检，可能损坏其他硬件。提醒存储芯片涨价期间，切勿贪图便宜。

央视报道，深圳华强北内存条价格近期暴涨，DDR5单条两天内涨约300元，DDR4涨幅温和。存储成本占整机物料已从15%升至30%以上，高端机型超35%，行业利润逻辑面临调整。