台积电引入新型内存SOT-MRAM：功耗仅为同类技术的1%
本站1月18日消息，台积电携手工业技术研究院（ITRI）在下一代MRAM存储器相关技术方面取得突破性进展，成功研发出“自旋轨道力矩式磁性内存”（SOT-MRAM），搭载创新运算架构，功耗仅为类似技术STT-MRAM的百分之一，成为台积电抢占AI、高性能运算（HPC）市场的新“杀手锏”。业内专家认为，随着AI、5G时代的到来，各种场景应用都需要具备更快、更稳定、功耗更低的新一代内存。自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等领域都对内存技术提出了更高的要求。新一代内存的发展将为这些应用带来更高的性能和更好的用户
本站 1 月 18 日消息，台积电携手工业技术研究院（ITRI）在下一代 MRAM 存储器相关技术方面取得突破性进展，成功研发出“自旋轨道力矩式磁性内存”（SOT-MRAM），搭载创新运算架构，功耗仅为类似技术 STT-MRAM 的百分之一，成为台积电抢占 AI、高性能运算（HPC）市场的新“杀手锏”。
业内专家认为，随着AI、5G时代的到来，各种场景应用都需要具备更快、更稳定、功耗更低的新一代内存。自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等领域都对内存技术提出了更高的要求。新一代内存的发展将为这些应用带来更高的性能和更好的用户体验。
磁阻式随机存取内存（MRAM）是一种非易失性内存技术，利用精致磁性材料，满足新一代内存需求。三星、英特尔、台积电等大厂已投入研发。
台积电目前已成功开发出22纳米、16/12纳米工艺的MRAM产品线，并拥有大量内存和车用市场订单。此次推出SOT-MRAM将进一步巩固台积电在市场中的地位。
台积电宣布新款SOT-MRAM内存采用创新的运算架构，并表示其功耗仅为STT-MRAM的1%。此次研发成果领先全球，在国际电子元件会议（IEDM）上与其他顶尖会议共同发表论文。
STT-MRAM是一种新型的非易失性磁性随机存储器，它是磁性存储器MRAM的第二代产品。STT-MRAM的存储单元核心仍然是一个MTJ，由两层不同厚度的铁磁层和一层几个纳米厚度的非磁性隔离层组成。它利用自旋电流来实现信息的写入操作。这种技术的优势在于它具有高速读写性能、低功耗和非易失性的特点。通过自旋电流的作用，STT-MRAM能够在磁场无需反转的情况下实现信息的写入，从而降低了能耗并提高了存储器的可靠性。
想知道3ds Max安装需要多大内存和硬盘空间？本文列出官方最低与推荐配置，解析不同工作流下的硬件需求，助你避开性能瓶颈。
电脑安装了16GB内存却只显示15.8GB或更少？本文详解硬件保留、核显占用及系统设置导致的内存显示差异，提供从任务管理器到BIOS的完整排查方法。
英伟达发布定制HBM技术NVHBM，通过集成内存控制器至HBM基础裸片，实现带宽较HBM4E提升30%、功耗降低15%，并释放主芯片25%空间。亚马逊Annapurna Labs为首个合作伙伴，该技术旨在通过标准化方案加速定制AI芯片开发，而非取代通用HBM。
Marvell总裁透露，计划在下一代AI数据中心芯片中采用台积电A14制程。该制程性能提升15%或功耗降低30%，逻辑密度增加20%以上，预计2028年量产。公司已率先使用3nm、2nm制程，并预付10亿美元锁定先进制程产能。
AMD因用户强烈反弹，将为消费级Ryzen处理器恢复TSME内存加密功能。此前该功能被AGESA微码悄然关闭，仅保留在PRO等高端产品线，而英特尔竞品仍开放类似功能。AMD将通过UEFI固件更新，自2026年7月起由主板厂商发布BIOS恢复该选项。
台积电正加速新一代CoPoS封装技术开发，以矩形基板替代传统晶圆，提升面积利用率至90%以上，从而封装更大尺寸芯片并降低单位成本20%-30%。该技术计划2027年试产，2028年量产，玻璃基板预计2030年前后应用。此举旨在满足AI与高性能计算需求，巩固其在先进封装领域的领先地位。
消费级DRAM供给紧缩，三大原厂优先HBM与服务器内存，DDR4投片缩减。需求转向DDR2/DDR3，DDR2合约价二季度涨55%-60%，三季度再涨35%-40%。品牌厂与ODM厂降级使用，缺货压力向下传导。
杰富瑞研报预测，2026年Q3全球存储芯片价格环比涨40%-50%，Q4涨30%-40%，2027全年均价同比涨约40%-45%，降价或始于2028年，届时跌幅15%-20%。
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