良率决定盈利！全球三大存储芯片厂商正式开启HBM4良率竞争

7月22日，来自海外的一则消息把存储芯片战场的火药味又拉高了几分——三星电子、SK海力士和美光科技，这三大HBM巨头，正式在HBM4的良率上展开了正面交锋。作为第六代高带宽内存，HBM4将直接搭载在英伟达下半年推出的Vera Rubin等AI加速芯片上，可以说，谁在良率上占了上风，谁就握住了下半年业绩的命脉。

三星率先实现了HBM4的规模化量产，业内预估其良率已接近70%。这背后离不开1C工艺DRAM的持续带动——年初该工艺良率稳定超过80%，为HBM4的良率管控提供了扎实的基础。说直白一点，三星这块的底子打得比较厚。

SK海力士虽然没有公布精确的良率数字，但行业普遍判断，它也已经进入了稳定区间。为了巩固自己超过一半的HBM市场份额，这家韩国巨头正在洽谈引进新生产设备，优化工艺的同时扩大产能——显然，它不想给对手任何可乘之机。

美光这边，产能基础相对薄弱，正在加速推进良率爬坡，并同步进行大规模设备投资，目的很明确：尽快把产出能力拉上来。毕竟在HBM这个赛道上，掉队就意味着失去未来几年的增长红利。

良率，简单说就是合格芯片占全部产出芯片的比例，它直接决定了交付量和盈利空间，是各家攻坚的核心。虽然此前通用DRAM的短期利润一度反超，但涨价空间已经明显收窄——一季度价格几乎翻倍，二季度回落到30%–50%，三季度预计只有0%–20%。而HBM需求持续扩张，高毛利优势将重新主导局面。

有业内人士指出：“三星抢先落地HBM4量产，良率提升带来的供货增量、利润增长已经在二季度财报中充分体现。下半年这一趋势还会延续，三大存储企业的良率竞争只会越来越白热化。” 换句话说，这轮竞赛才刚刚开始，真正的较量还在后面。