消息称台积电考虑在日本建设第三工厂，瞄向 3nm 芯片制造

英伟达发布定制HBM技术NVHBM，通过集成内存控制器至HBM基础裸片，实现带宽较HBM4E提升30%、功耗降低15%，并释放主芯片25%空间。亚马逊Annapurna Labs为首个合作伙伴，该技术旨在通过标准化方案加速定制AI芯片开发，而非取代通用HBM。

Arm在Hot Chips 2026发布首款AI专用数据中心CPU“Arm AGI CPU”，由Meta联合开发。该芯片采用台积电3nm工艺，双芯粒设计，每芯粒70个Neoverse V3核心（屏蔽4个后单芯片136核），TDP 300W，支持DDR5-8800及PCIe 6.0。旨在解决x86在AI算力与能效上的瓶颈，预计2027-2028财年推向市场。

美股芯片股盘前全线走强，美光科技涨近5%，阿斯麦涨4.5%，迈威尔科技涨4%，英特尔涨3.5%，台积电涨约2%。在震荡市场中，芯片板块表现亮眼，主要受人工智能需求及行业前景提振。

Marvell总裁透露，计划在下一代AI数据中心芯片中采用台积电A14制程。该制程性能提升15%或功耗降低30%，逻辑密度增加20%以上，预计2028年量产。公司已率先使用3nm、2nm制程，并预付10亿美元锁定先进制程产能。

美股芯片板块全线拉升，费城半导体指数涨超5%。特朗普宣布苹果、英伟达同意与英特尔合作，马斯克同意建造全球最大芯片工厂，带动英特尔盘中大涨近12%。多只芯片股涨幅超6%，存储板块亦集体走高。

台积电正加速新一代CoPoS封装技术开发，以矩形基板替代传统晶圆，提升面积利用率至90%以上，从而封装更大尺寸芯片并降低单位成本20%-30%。该技术计划2027年试产，2028年量产，玻璃基板预计2030年前后应用。此举旨在满足AI与高性能计算需求，巩固其在先进封装领域的领先地位。

璇相科技发布百万级超表面光镊阵列芯片，联合中器无量在中性原子平台完成系统适配与光场验证。芯片约4毫米直径工作区域生成百万级光镊位点，为公开最大规模。超表面无需中继光路直接投射光场，但原子装载与阵列重排仍待解决。

苹果iPhone18Pro搭载的A20Pro芯片采用WMCM封装，DRAM移至侧面以改善散热，支持96-bit位宽LPDDR6内存，NPU面积扩大但封装尺寸不变，强化端侧AI性能。

市场调研机构数据显示，英伟达稳居台积电CoWoS产能最大客户，2027年其数据中心营收预计增长52%；AMD加速追赶，EPYCVeniceCPU出货量预计达675万颗。全球CoWoS需求爆发，预计2027年将达269.4万片，台积电计划扩产至月产能20万片以满足AI芯片旺盛需求。

芯片工艺命名从28纳米起成为数字游戏，3纳米仅是项目名称。实际金属半节距从28纳米到3纳米未变，栅极间距仅缩减3纳米。性能提升依赖FinFET、EUV光刻机及GAA技术，硅基芯片已接近物理极限。